Каталог Каталог
NST3906DP6T5G

NST3906DP6T5G

Транзисторы

Производитель: ON Semiconductor

Библиотека элементов

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Артикул NST3906DP6T5G
Серия NST3906DP6
Рабочая температура, мин. -55 C
Рабочая температура, макс. +150 C
Корпус SOT-963-6
Конфигурация Dual
Pd - рассеивание мощности 420 мВт
Полярность транзистора PNP
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 400 мВ
Максимальный постоянный ток коллектора - 200 мА
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 В
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 В
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 250 МГц

Характеристики

Производитель ON Semiconductor
Артикул NST3906DP6T5G
Серия NST3906DP6
Рабочая температура, мин. -55 C
Рабочая температура, макс. +150 C
Корпус SOT-963-6
Конфигурация Dual
Pd - рассеивание мощности 420 мВт
Полярность транзистора PNP
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 400 мВ
Максимальный постоянный ток коллектора - 200 мА
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 В
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 В
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 В
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 250 МГц

Вас также заинтересует

Kioxia
Kioxia SMD/SMT Kioxia
ISSI
ISSI SMD/SMT ISSI
Winbond
Winbond SMD/SMT Winbond
77205C
77205C Murata Power Solutions 77205C
IT 314
IT 314 Schaffner IT 314

Мы готовы ответить на ваши вопросы!

Я соглашаюсь на обработку персональных данных

Спасибо!
Мы свяжемся с вами